内部Flash模拟EEPROM存储配置参数

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内部Flash模拟EEPROM存储配置参数
问题场景：
设备需要保存用户设置的10个参数，要求断电不丢失

解决方案：

• 划分Flash扇区（以STM32F103为例）：
  
  

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#define PARAM_START_ADDR 0x0800FC00  // 使用最后一个扇区#define PARAM_SIZE       1024        // 1KB存储空间

• 写入函数（带擦除检查）：
  
  

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void Flash_WriteParams(uint16_t *data) {    FLASH_Unlock();    if(*(uint32_t*)PARAM_START_ADDR != 0xFFFFFFFF) {        FLASH_ErasePage(PARAM_START_ADDR);  // 需要先擦除    }    for(int i=0; i<10; i++) {        FLASH_ProgramHalfWord(PARAM_START_ADDR+i*2, data[i);    }    FLASH_Lock();}

注意事项：

• 擦除次数限制：STM32F103 Flash约1万次
• 建议写入前做CRC校验
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